文/連于慧

Power Integrations宣布其PowiGaN氮化鎵GaN技術的額定電壓已提升至 2200V，大幅超越目前所有商用GaN技術的電壓等級。這項突破使PowiGaN成為高壓AI資料中心、電動車、再生能源及高壓直流輸電HVDC基礎設施等新一代高壓電力系統的領先技術方案，可支援更高電壓的匯流排架構，進一步提升系統功率密度。

Power Integrations 總裁暨執行長 Jennifer Lloyd 表示，新興應用包括下一代AI資料中心，目前產業發展藍圖已經朝1500 V配電架構邁進。此外，未來電動車電池系統及48 V輔助電源系統的輸出電壓也將持續提升。這項里程碑式突破進一步將GaN技術的應用範圍擴展至過去主要由碳化矽SiC所主導的高電壓領域，為太陽能、HVDC及先進工業電源轉換等應用提供兼具高切換頻率與高效率的全新選擇。

氮化鎵GaN功率開關憑藉更高的效率與更高的切換頻率，正逐步取代矽晶體管，廣泛應用於各類電源轉換系統。然而，隨著AI資料中心、電動車、再生能源及HVDC基礎設施的發展藍圖持續朝向更高電壓與更高功率密度邁進，GaN 技術也必須同步提升其電壓等級。現行替代方案包括採用切換頻率較低的碳化矽SiC，或使用多顆較低電壓的GaN元件堆疊而成的方案，但這些做法都必須在功率密度、系統複雜度及可靠度之間做出取捨。

目前，額定電壓1700 V的PowiGaN IC已開始導入單級式AI資料中心輔助電源應用；而1250 V PowiGaN則可在800 VDC AI資料中心主電源傳輸路徑中，提供比堆疊式方案更簡潔的設計選擇。如今，2200 V PowiGaN技術的推出，意味著未來可支援更高電壓的匯流排架構，不僅能為AI資料中心的電源設計預作準備，也將有助於支援未來電動車、太陽能逆變器及電池儲能系統等高壓應用的發展。